Samsung PM9A3 SSD 960GB τύπου M.2 με σύνδεση PCI Express 4.0 (PS5 Compatible) GM-121933 Bulk (MZ1L2960HCJR-00A07)

* Οι εικόνες είναι ενδεικτικές

Χρειάζεσαι βοήθεια
Άμεση Παραγγελία;
210 99 02 739

Κατασκευαστής: Samsung
Κωδικός Προϊόντος: 1274917
Part Number: MZ1L2960HCJR-00A07
EAN: 7613081098106
Διαθεσιμότητα: 1 εώς 3 ημέρες
Εγγύηση: 2 έτη

1.354,50€

Ποσότητα

Δόσεις

ή
με έως και 36 δόσεις

Με πιστωτική κάρτα

Υπολογισμός κόστους προϊόντος με δόσεις

Υπολογισμός Μεταφορικών

Εκτίμηση Κόστους Αποστολής

Εισάγετε τη διεύθυνση παράδοσης για την εκτίμηση του κόστους αποστολής.

Χώρα

Περιφέρεια / Περιοχή

Ταχυδρομικός Κώδικας

Διαθέσιμοι τρόποι πληρωμής

Αντικαταβολή

Πληρωμή με κάρτα

Πιστωτική Κάρτα / Δόσεις

Άμεση πληρωμή μέσω IRIS

Πληρωμή με RF κωδικό

TBI Bank - αγόρασε τώρα, πλήρωσε αργότερα

Έως 60 δόσεις

Διαθέσιμοι τρόποι αποστολής

Παραλαβή από το κατάστημα μας

Παράδοση από την εταιρία μας

Αποστολή με ACS

ACS SmartPoint (Παραλαβή όλο το 24ώρο)

Παραλαβή όλο το 24ώρο

Περιγραφή
Εκτίμηση Κόστους Αποστολής
Αξιολογήσεις (0)

Ο Samsung PM9A3 SSD είναι ένας εσωτερικός δίσκος στερεάς κατάστασης τύπου M.2 με χωρητικότητα 960GB. Υποστηρίζει σύνδεση PCI Express 4.0 x4 με πρωτόκολλο NVMe, προσφέροντας υψηλές ταχύτητες ανάγνωσης έως 5500 MB/s και εγγραφής έως 1400 MB/s. Διαθέτει υλικό κρυπτογράφησης 256-bit AES-XTS και χρησιμοποιεί μνήμη NAND τύπου Multi-level cell (MLC). Ο δίσκος έχει μορφή M.2 22110 και είναι συμβατός με PlayStation 5, καθιστώντας τον κατάλληλο για χρήση σε laptops και κονσόλες παιχνιδιών. Επιπλέον, διαθέτει τεχνολογία V-NAND και τον ελεγκτή Samsung Elpis, ενώ η κατανάλωση ισχύος είναι 7.5 watt κατά την ανάγνωση, 6.5 watt κατά την εγγραφή και 2.5 watt σε κατάσταση αδράνειας.

Βασικά Χαρακτηριστικά

Τύπος Συσκευής	Solid state drive - internal
Χωρητικότητα	960 GB
Μορφή	M.2 22110
Διασύνδεση	PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Συμβατότητα	PlayStation 5
Χρήση	Laptops, PlayStation 5
Βάρος	20 g

Τεχνικά Χαρακτηριστικά

Ταχύτητα Ανάγνωσης	5500 MB/s
Ταχύτητα Εγγραφής	1400 MB/s
4KB Τυχαία Ανάγνωση	550000 IOPS
4KB Τυχαία Εγγραφή	60000 IOPS
Τύπος NAND Flash	Multi-level cell (MLC)
Κρυπτογράφηση Υλικού	Ναι, 256-bit AES-XTS
Τεχνολογία	V-NAND Technology, Samsung Elpis Controller
MTBF	2,000,000 ώρες
Κατανάλωση Ισχύος	7.5 watt (read), 6.5 watt (write), 2.5 watt (idle)
Θερμοκρασία Λειτουργίας	0 °C έως 70 °C
Θερμοκρασία Αποθήκευσης	-40 °C έως 85 °C
Αντοχή σε Κρούση (μη λειτουργική)	1500 g
Αντοχή σε Δόνηση (μη λειτουργική)	20 g @ 10-2000 Hz
Υγρασία Λειτουργίας	5 - 95% (μη συμπυκνωμένη)